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STMicroelectronics
STB18NM60ND
278-STB18NM60ND
PDF 데이터시트
600V 13A N-CH MOSFET, 290mR RdsOn, D2PAK, Fast Diode
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-263-3
Continuous Drain Current (ID)
13A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
290mR
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
290mR
Fall Time
18ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
STB18NM60ND에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
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