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STMicroelectronics
STB12NM60N-1
278-STB12NM60N-1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
410mR
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
입력 커패시턴스
960pF
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