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책임 있는 품질
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기술 사양
Status
Obsolete(EOL)
Max Gate Charge
31nC @ 10V
Continuous Drain Current at 25°C
10A (Tc)
Dimension
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Max Input Capacitance
850pF @ 50V
Gate-Source Threshold Voltage
4V @ 250μA
Mounting
Through Hole
전력 소비(최대)
90W (Tc)
FAQ
STB11NM60N은(는) 무엇인가요?
STB11NM60N은(는) STMicroelectronics의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
STB11NM60N은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
STB11NM60N의 장착 방식은 무엇인가요?
STB11NM60N에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
STB11NM60N에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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