STMicroelectronics
SCT025H120G3AG
단일 FET, MOSFET
SCT025H120G3AG
278-SCT025H120G3AG
STMicroelectronics-SCT025H120G3AG-datasheets-14455962.pdf
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
재고 : 90
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Id - Continuous Drain Current
Typical Rise Time (ns)
제품
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Fall Time
Automotive
RoHS
Supplier Package
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
Pin Count
Mounting
자격
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
Maximum Operating Temperature
장착 스타일
Maximum Gate Source Voltage (V)
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
재료
Transistor Polarity
Package Length
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Operating Junction Temperature (°C)
Tab
Part Status
Package Width
Pd - Power Dissipation
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
SCT025H120G3AG 서류
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