STMicroelectronics
RF2L16180CB4
RF FET, MOSFET
RF2L16180CB4
285-RF2L16180CB4
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RF MOSFET LDMOS 28V B4E
재고 : 30
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기술 사양
구성
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Power Gain (dB)
PPAP
전압 - 정격
제품상태
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
Minimum Frequency (MHz)
EU RoHS
수분 민감도 수준(MSL)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
현재 - 테스트
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Pin Count
Mounting
Mode of Operation
Output Power (W)
HTSUS
패키지
얻다
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
전류 정격(암페어)
ECCN (US)
전력 - 출력
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Process Technology
Package Height
제조업체
잡음 지수
RoHS 현황
Maximum Gate Source Voltage (V)
Package Length
시리즈
전압 - 테스트
Typical Drain Efficiency (%)
Part Status
빈도
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Frequency (MHz)
장착 스타일
Unit Weight
출력 파워
Vgs - Gate-Source Voltage
Id - Continuous Drain Current
Transistor Polarity
RoHS
Minimum Operating Temperature
Operating Frequency
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
유형
트랜지스터 유형
채널 수
Maximum Operating Temperature
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
USHTS
Rds On - Drain-Source Resistance
RF2L16180CB4 서류
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Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF) 관련 부품
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