STMicroelectronics
BD139-10
단일 양극성 트랜지스터
BD139-10
276-BD139-10
STMicroelectronics-BD139-10-datasheets-14324978.pdf
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
재고 : 6132
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기술 사양
Category
구성
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Package Height
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
EU RoHS
Maximum Collector Base Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Maximum Base Current (A)
Maximum Emitter Base Voltage (V)
재료
Package Length
Supplier Temperature Grade
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
유형
Minimum DC Current Gain
Operating Junction Temperature (°C)
Tab
Maximum DC Collector Current (A)
Lead Shape
Part Status
SVHC
패키지
Package Width
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
장착 스타일
Unit Weight
ECCN
Transistor Polarity
RoHS
Minimum Operating Temperature
Emitter- Base Voltage VEBO
시리즈
패키지/케이스
Maximum DC Collector Current
길이
기술
Gain Bandwidth Product fT
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
키
Maximum Operating Temperature
DC Collector/Base Gain hfe Min
Pd - Power Dissipation
USHTS
너비
BD139-10 서류
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