STMicroelectronics
ADP360120W3
FET, MOSFET 어레이
ADP360120W3
289-ADP360120W3
STMicroelectronics-ADP360120W3-datasheets-9651102.pdf
SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK
재고 : 6
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기술 사양
Unit Weight
구성
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
PPAP
Channel Mode
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Vr - Reverse Voltage
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Vf - Forward Voltage
제조업체
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Vgs - Gate-Source Voltage
재료
Package Length
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
유형
전력 - 최대
Part Status
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
Supplier Package
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
Package Size
ADP360120W3 서류
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