STMicroelectronics
A1P25S12M3-F
IGBT 모듈
A1P25S12M3-F
297-A1P25S12M3-F
STMicroelectronics-A1P25S12M3-F-datasheets-1243654.pdf
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
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기술 사양
NTC 서미스터
구성
PCB changed
HTS
입력 커패시턴스(Cies) @ Vce
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
제품상태
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
공급자 장치 패키지
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
입력
패키지/케이스
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
REACH 상태
Package Height
제조업체
채널 유형
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
EU RoHS
IGBT 유형
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Continuous Collector Current (A)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
ECCN
Package Length
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Pin Count
Mounting
시리즈
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
전력 - 최대
Part Status
SVHC
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
HTSUS
패키지
Package Width
기본 제품 번호
장착 스타일
Unit Weight
Gate-Emitter Leakage Current
제품
RoHS
Minimum Operating Temperature
Tradename
기술
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Continuous Collector Current at 25 C
Maximum Operating Temperature
Pd - Power Dissipation
USHTS
Maximum Gate Emitter Voltage
A1P25S12M3-F 서류
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