ROHM Semiconductor_VT6M1T2CR
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ROHM Semiconductor
VT6M1T2CR

289-VT6M1T2CR
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MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

구성
N and P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
20@N Channel|325@P Channel
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
10000
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
7.1pF @ 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
Typical Rise Time (ns)
4@N Channel|62@P Channel
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
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FAQ

VT6M1T2CR의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 VT6M1T2CR의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
VT6M1T2CR은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
VT6M1T2CR의 표준 리드타임은 얼마인가요?
VT6M1T2CR에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
VT6M1T2CR은(는) 무엇인가요?
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