ROHM Semiconductor_RS3E180ATTB1
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ROHM Semiconductor
RS3E180ATTB1

278-RS3E180ATTB1
PDF 데이터시트
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
16 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
P-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
7200 pF @ 15 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
160 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
8-SOP
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전력 소비(최대)
1.4W (Ta)
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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FAQ

RS3E180ATTB1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
RS3E180ATTB1에 현재 표시된 표준 리드타임은 16 Weeks입니다.
RS3E180ATTB1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RS3E180ATTB1은(는) 현재 재고가 있나요?
RS3E180ATTB1에 수량별 가격이 있나요?
RS3E180ATTB1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
유효성 (재고 : 6 )
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10+ $4.87200 $48.72
30+ $4.80000 $144.00
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