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ROHM Semiconductor
RQ3E100BNTB
278-RQ3E100BNTB
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
21 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1100 pF @ 15 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전력 소비(최대)
2W (Ta)
패키지/케이스
8-PowerVDFN
FAQ
RQ3E100BNTB은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
RQ3E100BNTB은(는) 현재 8-PowerVDFN 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
RQ3E100BNTB에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RQ3E100BNTB에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
RQ3E100BNTB의 표준 리드타임은 얼마인가요?
RQ3E100BNTB의 장착 방식은 무엇인가요?
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