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ROHM Semiconductor
RD3G07BATTL1
278-RD3G07BATTL1
PDF 데이터시트
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
16 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
P-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
5550 pF @ 20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
105 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-252
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전력 소비(최대)
101W (Tc)
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
FAQ
RD3G07BATTL1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 RD3G07BATTL1의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
RD3G07BATTL1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
RD3G07BATTL1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
RD3G07BATTL1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
RD3G07BATTL1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
유효성
(재고 :
17 )
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.22685 | $5.23 |
| 10+ | $4.50857 | $45.09 |
| 30+ | $4.08172 | $122.45 |
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