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ROHM Semiconductor
R6030JNZ4C13
278-R6030JNZ4C13
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
18 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2500 pF @ 100 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 15 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-247G
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전력 소비(최대)
370W (Tc)
패키지/케이스
TO-247-3
FAQ
R6030JNZ4C13에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
R6030JNZ4C13에 현재 표시된 전압 관련 사양은 600 V입니다.
R6030JNZ4C13에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
R6030JNZ4C13은(는) 현재 재고가 있나요?
R6030JNZ4C13은(는) 무엇인가요?
R6030JNZ4C13의 장착 방식은 무엇인가요?
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