

ROHM Semiconductor
R6006KND3TL1
278-R6006KND3TL1
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
18 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
350 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-252
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전력 소비(최대)
70W (Tc)
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
FAQ
R6006KND3TL1에 수량별 가격이 있나요?
예. 현재 R6006KND3TL1에는 3개의 가격 구간이 있으며, 1개부터 시작합니다.
R6006KND3TL1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
R6006KND3TL1의 장착 방식은 무엇인가요?
R6006KND3TL1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
R6006KND3TL1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?



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