ROHM Semiconductor_HT8KB6TB1
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ROHM Semiconductor
HT8KB6TB1

2088-HT8KB6TB1
MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

장착 스타일
SMD/SMT
구성
Dual
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current
15 A
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Transistor Polarity
N-Channel
Channel Mode
Enhancement
Fall Time
4.5 ns
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FAQ

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