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ROHM Semiconductor
BSM180D12P3C007
289-BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
17 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
2 N-Channel (Dual)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
155
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
500
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
900pF @ 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
Typical Rise Time (ns)
45
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
FAQ
BSM180D12P3C007은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
BSM180D12P3C007은(는) 현재 Module 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
BSM180D12P3C007은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
BSM180D12P3C007에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
BSM180D12P3C007의 장착 방식은 무엇인가요?
BSM180D12P3C007에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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