ROHM Semiconductor_2SB1709
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ROHM Semiconductor
2SB1709

276-2SB1709
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TRANS PNP 12V 1.5A TSMT3

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Status
Active
Max Vce (sat)
200mV @ 25mA, 500mA
Typical Gain (hFE) (Min)
270 @ 200mA, 2V
빈도 - 전환
400MHz
VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Transistor Polarity
PNP
Mounting
SMD (SMT)
Maximum Power Dissipation
500mW
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FAQ

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