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Renesas Electronics Corporation
H5N2305P-E
278-H5N2305P-E
PDF 데이터시트
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
105 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-3PFM
드레인-소스 전압(Vdss)
230 V
전력 소비(최대)
60W (Tc)
패키지/케이스
TO-3PFM, SC-93-3
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FAQ
H5N2305P-E은(는) 무엇인가요?
H5N2305P-E은(는) Renesas Electronics Corporation의 Single FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
H5N2305P-E은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
H5N2305P-E에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
H5N2305P-E은(는) 현재 재고가 있나요?
H5N2305P-E의 장착 방식은 무엇인가요?
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