onsemi
NVMFS5C426NWFAFT1G
단일 FET, MOSFET
NVMFS5C426NWFAFT1G
278-NVMFS5C426NWFAFT1G
onsemi-NVMFS5C426NWFAFT1G-datasheets-11854474.pdf
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
재고 : 325
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
등급
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
자격
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Fall Time
Qg - Gate Charge
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
NVMFS5C426NWFAFT1G 서류
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