onsemi
NVMFS5113PLT1G
단일 FET, MOSFET
NVMFS5113PLT1G
278-NVMFS5113PLT1G
onsemi-NVMFS5113PLT1G-datasheets-5269021.pdf
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
재고 : 8832
온라인으로 구매할 수 없나요? 더 낮은 도매가를 원하시나요? 최적의 가격을 얻으려면 RFQ를 보내주십시오. 즉시 응답해 드리겠습니다.
빠른 견적 요청
RFQ 목록에 추가
- 1+
- $2.35483
- $2.35
- 10+
- $2.01370
- $20.14
- 30+
- $1.80007
- $54
- 100+
- $1.58148
- $158.15
- 500+
- $1.48378
- $741.89
- 1500+
- $1.44072
- $2161.08
장바구니에 추가
빠른 주문
$2.35483
$2.35
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,p_30)
기술 사양
Unit Weight
V gs (V)
구성
Package Name
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
PPAP
OPN in older Technology
Fall Time
Automotive
RoHS
Maximum IDSS (uA)
Typical Turn-On Delay Time
Q gd Typ @ V GS = 4.5 V (nC)
REACH 상태
채널 유형
Wide SOA Mosfets
Maximum Continuous Drain Current (A)
MSL Temp (°C)
Status
Maximum Drain Source Voltage (V)
Supplier Temperature Grade
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
MSL Type
Mounting
C rss Typ (pF)
자격
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
패키지
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
P D Max (W)
R DS(on) Max @ V GS = 4.5 V (mΩ)
I D Max (A)
C oss Typ (pF)
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
Development Kit
Package Height
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
Q g Typ @ V GS = 4.5 V (nC)
RoHS 현황
Q rr Typ (nC)
SVHC Exceeds Threshold
Silicon Family
Transistor Polarity
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
유형
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Q g Typ @ V GS = 10 V (nC)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
V gs(th) Max (V)
Typical Rise Time (ns)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
기술
EU RoHS
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Channel Polarity
R DS(on) Max @ V GS = 10 V (mΩ)
ECCN
등급
V (BR)DSS Min (V)
장착 유형
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Lead Shape
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
Case Outline
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Gate Level
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
C iss Typ (pF)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
제조업체
장착 스타일
R DS(on) Max @ V GS = 2.5 V (mΩ)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Package Length
시리즈
Forward Transconductance - Min
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
NVMFS5113PLT1G 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. NVMFS5113PLT1G
NxMFS5113PLT1G 28/Sep/2023 NVMFS5113PL NVMFS5113PL onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration NVMFS5113PLT1G 관련 부품
쇼핑가이드
결제 방법
결제 방법에는 선불 TT(은행 송금), Western Union 및 PayPal이 포함됩니다. 고객은 배송비, 은행 수수료, 관세 및 세금을 부담해야 합니다.
배송비
일요일을 제외하고 하루에 한 번 오후 5시경에 배송이 이루어집니다. 배송 후 예상 배송 시간은 일반적으로 선택한 택배사에 따라 영업일 기준 5~7일이 소요됩니다.
배송 방법
DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express 및 등기 항공 우편 국제 배송 서비스 제공
우리를 팔로우하세요
아래 소셜 미디어에서 우리에 대한 더 많은 정보를 찾아보고 우리와 소통하세요!
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
©2025 ERSA 전자 주식회사.