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onsemi
NVMD4N03R2G
289-NVMD4N03R2G
PDF 데이터시트
Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mΩ NTMD4N03 Automotive version, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
16 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
4A
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
Element Configuration
Dual
Fall Time
10ns
FET 유형
2 N-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
400pF
FAQ
NVMD4N03R2G의 표준 리드타임은 얼마인가요?
NVMD4N03R2G에 현재 표시된 표준 리드타임은 16 Weeks입니다.
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NVMD4N03R2G은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
NVMD4N03R2G에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
NVMD4N03R2G은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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