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NTZD3156CT2G

289-NTZD3156CT2G
PDF 데이터시트
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
SOT-563
Continuous Drain Current (ID)
430mA
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Drain to Source Resistance
900mR
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
Fall Time
6.5ns
FET 유형
N and P-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
6V
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