onsemi_NTMD6601NR2G
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NTMD6601NR2G

289-NTMD6601NR2G
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Power MOSFET 80V 1.4A 245 mOhm Dual N-Channel SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
1.1A
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Drain to Source Resistance
190mR
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
FET 유형
2 N-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
입력 커패시턴스
400pF
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FAQ

NTMD6601NR2G의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 NTMD6601NR2G의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
NTMD6601NR2G은(는) 무엇인가요?
NTMD6601NR2G에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
NTMD6601NR2G은(는) 현재 재고가 있나요?
NTMD6601NR2G에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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