onsemi
NTH4L023N065M3S
단일 FET, MOSFET
NTH4L023N065M3S
278-NTH4L023N065M3S
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SiC MOSFET
재고 : 422
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기술 사양
HTS
ECCN (US)
Part Status
PPAP
EU RoHS
Automotive
구성
Id - Continuous Drain Current
제품
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
ECCN
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
패키지
Pd - Power Dissipation
USHTS
NTH4L023N065M3S 서류
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