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NTC080N120SC1

278-NTC080N120SC1
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SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1112 pF @ 800 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 20 V
제품상태
Obsolete
공급자 장치 패키지
Die
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전력 소비(최대)
178W (Tc)
패키지/케이스
Die
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