onsemi
HUF75345P3
단일 FET, MOSFET
HUF75345P3
278-HUF75345P3
onsemi-HUF75345P3-datasheets-9197894.pdf
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
재고 : 1050
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
Typical Gate to Drain Charge (nC)
SVHC
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)
Maximum Gate Source Voltage (V)
재료
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Tab
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
HUF75345P3 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. HUF75345P3
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020 HUF75345G3/P3/S3S Mult Devices 24/Oct/2017 HUF75345G3/P3/S3S TO220B03 Pkg Drawing Logo 17/Aug/2017 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration HUF75345P3 관련 부품
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