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onsemi
FJA4313RTU
276-FJA4313RTU
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NPN BJT Transistor, 250V, 10A, 130W, 30MHz, Through Hole
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책임 있는 품질
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기술 사양
Collector Base Voltage (VCBO)
250V
Collector Emitter Breakdown Voltage
250V
Collector Emitter Saturation Voltage
400mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
250V
Collector-emitter Voltage-Max
3V
Current Rating
10A
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
빈도
30MHz
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