onsemi_FDS5690

onsemi
FDS5690  
단일 FET, MOSFET

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FDS5690
278-FDS5690
Ersa
onsemi-FDS5690-datasheets-7333523.pdf
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
재고 : 15000

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    ISO9001
    Quality Policy
    ISO45001
    ISO14001

    기술 사양

    FET 유형
    입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
    게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
    제품상태
    공급자 장치 패키지
    드레인-소스 전압(Vdss)
    전력 소비(최대)
    패키지/케이스
    기술
    REACH 상태
    제조업체
    Vgs(최대)
    RoHS 현황
    수분 민감도 수준(MSL)
    작동 온도
    FET 기능
    ECCN
    장착 유형
    Rds On(최대) @ Id, Vgs
    Vgs(일)(최대) @ Id
    시리즈
    전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
    구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
    HTSUS
    패키지
    기본 제품 번호
    Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
    Category
    구성
    PCB changed
    Typical Turn-Off Delay Time (ns)
    HTS
    Number of Elements per Chip
    ECCN (US)
    Typical Rise Time (ns)
    PPAP
    Maximum Power Dissipation (mW)
    Channel Mode
    Typical Turn-On Delay Time (ns)
    Automotive
    Minimum Operating Temperature (°C)
    Maximum Operating Temperature (°C)
    Supplier Package
    Typical Fall Time (ns)
    Process Technology
    Package Height
    채널 유형
    EU RoHS
    Maximum Continuous Drain Current (A)
    Maximum Gate Source Voltage (V)
    Maximum Drain Source Voltage (V)
    Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
    Package Length
    Typical Gate Charge @ 10V (nC)
    Standard Package Name
    Pin Count
    Mounting
    Lead Shape
    Part Status
    Package Width
    Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

    FDS5690 서류

    다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDS5690

    Ersa Korea Fab Site Add 3/Jan/2017      
    Ersa FDS5690      
    Ersa Mult Devices 24/Oct/2017       Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018      
    Ersa Mult Dev EOL 24/Dec/2021       Mult Dev EOL 14/Jan/2022      
    Ersa FDS5690      
    Ersa Logo 17/Aug/2017       Mold Compound 12/Dec/2007      
    Ersa onsemi RoHS       Material Declaration FDS5690      

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