onsemi
FDN358P
단일 FET, MOSFET
FDN358P
278-FDN358P
onsemi-FDN358P-datasheets-10583113.pdf
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
재고 : 26150
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Standard Package Name
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
Typical Gate to Drain Charge (nC)
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Threshold Voltage (V)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Plateau Voltage (V)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
FDN358P 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDN358P
Capacity expansion 02/Sep/2020 FDN358P Datasheet Mult Devices 24/Oct/2017 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021 Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022 onsemi RoHS Material Declaration FDN358P 관련 부품
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