onsemi
FDMS86103L
단일 FET, MOSFET
FDMS86103L
278-FDMS86103L
onsemi-FDMS86103L-datasheets-3198611.pdf
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
재고 : 2686
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Standard Package Name
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
Typical Gate to Drain Charge (nC)
SVHC
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
Typical Reverse Recovery Time (ns)
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)
Typical Gate Threshold Voltage (V)
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Typical Gate Plateau Voltage (V)
재료
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
FDMS86103L 서류
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Cancellation 20/Feb/2020 FDMS86103L Mult Devices 24/Oct/2017 Logo 17/Aug/2017 onsemi RoHS Material Declaration FDMS86103L onsemi REACH 관련 부품
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