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FDMS6673BZ

278-FDMS6673BZ
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P-Channel MOSFET -30V, 6.8mR, 15.2A, Surface Mount
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
15.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Drain to Source Resistance
6.8mR
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
Element Configuration
Single
Fall Time
79ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
1.05mm
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FAQ

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