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FDMS3660S

289-FDMS3660S
PDF 데이터시트
Dual N-Ch MOSFET 30V 60A 1.8mR Surface Mount
47 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
60A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
1.8mR
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
FET 유형
2 N-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
1.1mm
입력 커패시턴스
1.765nF
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FAQ

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