onsemi
FDMA420NZ
단일 FET, MOSFET
FDMA420NZ
278-FDMA420NZ
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MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
재고 : 4870
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
Typical Gate to Drain Charge (nC)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)
Typical Gate Threshold Voltage (V)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Plateau Voltage (V)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
FDMA420NZ 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDMA420NZ
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020 FDMA420NZ Datasheet Mult Devices 24/Oct/2017 Mult Devices 29/Aug/2018 Logo 17/Aug/2017 Marking Content 19/Nov/2013 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration FDMA420NZ 관련 부품
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