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onsemi
FDD4N60NZ
278-FDD4N60NZ
PDF 데이터시트
600V N-Channel Power MOSFET, 3.4A, 1.9Ω, DPAK
99 weeks
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
3.4A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
1.9R
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Element Configuration
Single
Fall Time
12.8ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
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FDD4N60NZ에 현재 표시된 표준 리드타임은 99 weeks입니다.
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