onsemi_FDC654P

onsemi
FDC654P  
단일 FET, MOSFET

onsemi
FDC654P
278-FDC654P
Ersa
onsemi-FDC654P-datasheets-10387068.pdf
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
재고 : 3030

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    ISO9001
    Quality Policy
    ISO45001
    ISO14001

    기술 사양

    FET 유형
    입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
    게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
    제품상태
    공급자 장치 패키지
    드레인-소스 전압(Vdss)
    전력 소비(최대)
    패키지/케이스
    기술
    REACH 상태
    제조업체
    Vgs(최대)
    RoHS 현황
    수분 민감도 수준(MSL)
    작동 온도
    FET 기능
    ECCN
    장착 유형
    Rds On(최대) @ Id, Vgs
    Vgs(일)(최대) @ Id
    시리즈
    전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
    구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
    HTSUS
    패키지
    기본 제품 번호
    Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
    Category
    구성
    PCB changed
    Typical Turn-Off Delay Time (ns)
    HTS
    Number of Elements per Chip
    ECCN (US)
    Typical Rise Time (ns)
    PPAP
    Maximum Power Dissipation (mW)
    Channel Mode
    Typical Turn-On Delay Time (ns)
    Automotive
    Minimum Operating Temperature (°C)
    Maximum Operating Temperature (°C)
    Supplier Package
    Typical Fall Time (ns)
    Process Technology
    Package Height
    Typical Gate to Source Charge (nC)
    채널 유형
    EU RoHS
    Maximum Continuous Drain Current (A)
    Maximum Gate Source Voltage (V)
    Maximum Drain Source Voltage (V)
    Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
    Package Length
    Typical Gate Charge @ 10V (nC)
    Standard Package Name
    Pin Count
    Mounting
    Typical Output Capacitance (pF)
    Lead Shape
    Part Status
    Typical Gate to Drain Charge (nC)
    Maximum Gate Threshold Voltage (V)
    Package Width
    Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

    FDC654P 서류

    다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDC654P

    Ersa Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021      
    Ersa FDC654P      
    Ersa Mult Devices 24/Oct/2017       Marking Change 07/Oct/2022      
    Ersa FDC654P      
    Ersa Marking Change 17/Nov/2021       Marking Change 07/Oct/2022      
    Ersa onsemi RoHS       Material Declaration FDC654P      

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