onsemi
FDC6327C
FET, MOSFET 어레이
FDC6327C
289-FDC6327C
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MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
재고 : 15475
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기술 사양
작동 온도
FET 기능
구성
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
ECCN
장착 유형
제품상태
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
시리즈
패키지/케이스
기술
전력 - 최대
REACH 상태
제조업체
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
HTSUS
패키지
RoHS 현황
기본 제품 번호
수분 민감도 수준(MSL)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Standard Package Name
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
Typical Gate to Drain Charge (nC)
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Threshold Voltage (V)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Plateau Voltage (V)
Package Length
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
FDC6327C 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDC6327C
FDC63yyy 14/Aug/2020 FDC6327C Marking Change 07/Oct/2022 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 FDC6327C Marking Change 17/Nov/2021 Marking Change 07/Oct/2022 onsemi RoHS Material Declaration FDC6327C 관련 부품
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