onsemi_2N5551TF
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onsemi
2N5551TF

276-2N5551TF
NPN BJT Transistor, 160V VCEO, 600mA IC, 300MHz fT, TO-92
9 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TO-92-3
Collector Base Voltage (VCBO)
180V
Collector Emitter Breakdown Voltage
160V
Collector Emitter Saturation Voltage
200mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
160V
Collector-emitter Voltage-Max
200mV
Contact Plating
Tin, Matte
Current Rating
600mA
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FAQ

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2N5551TF은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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2N5551TF의 장착 방식은 무엇인가요?
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