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NXP Semiconductors
PDTB113ET
293-PDTB113ET
PDF 데이터시트
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Status
Active
Max Vce (sat)
300mV @ 2.5mA, 50mA
Typical Gain (hFE) (Min)
33 @ 50mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)
1k
VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Transistor Polarity
PNP - Pre-Biased
Mounting
SMD (SMT)
Resistor - Base (R1) (Ohms)
1k
FAQ
PDTB113ET은(는) 무엇인가요?
PDTB113ET은(는) NXP Semiconductors의 Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
PDTB113ET에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
PDTB113ET에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
PDTB113ET은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
PDTB113ET은(는) 현재 재고가 있나요?
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