NXP Semiconductors
MRFE8VP8600HSR5
285-MRFE8VP8600HSR5
PDF 데이터시트
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
12 Weeks
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책임 있는 품질
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기술 사양
Typical Output Capacitance @ Vds (pF)
71.2@50V
구성
Dual Common Source
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
Typical Power Gain (dB)
21
PPAP
No
전압 - 정격
115 V
Channel Mode
Enhancement
제품상태
Active
FAQ
MRFE8VP8600HSR5에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
MRFE8VP8600HSR5에 현재 표시된 전압 관련 사양은 115 V입니다.
MRFE8VP8600HSR5은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
MRFE8VP8600HSR5은(는) 현재 재고가 있나요?
MRFE8VP8600HSR5의 표준 리드타임은 얼마인가요?
MRFE8VP8600HSR5의 장착 방식은 무엇인가요?
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