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NXP Semiconductors
AFV121KH-960MHZ
285-AFV121KH-960MHZ
PDF 데이터시트
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
15 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
2 N-Channel
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
Typical Power Gain (dB)
19.6
PPAP
No
전압 - 정격
112 V
Channel Mode
Enhancement
제품상태
Active
Automotive
No
FAQ
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