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NXP Semiconductors
AFV10700HSR5
285-AFV10700HSR5
PDF 데이터시트
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
12 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
구성
Dual
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
Typical Power Gain (dB)
19.2
PPAP
No
전압 - 정격
105 V
Channel Mode
Enhancement
제품상태
Active
Automotive
No
FAQ
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