

NXP Semiconductors
A3T09S100NR1
285-A3T09S100NR1
PDF 데이터시트
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
12 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
68.3@28V
PCB changed
3
Typical Power Gain (dB)
22.8
전류 정격(암페어)
10µA
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
전압 - 정격
65 V
Maximum Power Dissipation (mW)
222000
FAQ
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A3T09S100NR1의 장착 방식은 무엇인가요?
A3T09S100NR1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
A3T09S100NR1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?



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