NXP Semiconductors_A3T09S100NR1
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NXP Semiconductors
A3T09S100NR1

285-A3T09S100NR1
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RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
68.3@28V
PCB changed
3
Typical Power Gain (dB)
22.8
전류 정격(암페어)
10µA
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
전압 - 정격
65 V
Maximum Power Dissipation (mW)
222000
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