Microsemi_MRF5812R2
original

Microsemi
MRF5812R2

285-MRF5812R2
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

Mounting
SMD
Current - Collector (Ic) (Maximum)
200mA
트랜지스터 유형
NPN
빈도 - 전환
5GHz
Manufacturer Package
8-SO
DC Current Gain (hFE) (Minimum) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 5V
전력 - 최대
1.25W
Operating Temperature Range
150°C (TJ)
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FAQ

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