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JANTXV2N6849
278-JANTXV2N6849
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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책임 있는 품질
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기술 사양
Contact Plating
Tin, Lead
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
25W
Mount
Through Hole
FAQ
JANTXV2N6849에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
JANTXV2N6849에 현재 표시된 전압 관련 사양은 100V입니다.
JANTXV2N6849은(는) 무엇인가요?
JANTXV2N6849은(는) 현재 재고가 있나요?
JANTXV2N6849에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
JANTXV2N6849의 장착 방식은 무엇인가요?
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