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JAN2N6849
278-JAN2N6849
PDF 데이터시트
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-39
Contact Plating
Tin, Lead
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
25W
FAQ
JAN2N6849의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 JAN2N6849의 장착 방식은 Through Hole입니다.
JAN2N6849은(는) 현재 재고가 있나요?
JAN2N6849은(는) 무엇인가요?
JAN2N6849에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
JAN2N6849은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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