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JAN2N6798U
278-JAN2N6798U
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, LCC-18
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
CLCC
Continuous Drain Current (ID)
5.5A
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
Fall Time
40ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
25W
FAQ
JAN2N6798U의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 JAN2N6798U의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
JAN2N6798U은(는) 무엇인가요?
JAN2N6798U은(는) 현재 재고가 있나요?
JAN2N6798U은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
JAN2N6798U에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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