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JAN2N6766
278-JAN2N6766
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, TO-3, 2 PIN
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책임 있는 품질
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기술 사양
패키지/케이스
TO-204AE
Contact Plating
Tin, Lead
Continuous Drain Current (ID)
30A
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
150W
FAQ
JAN2N6766에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
JAN2N6766에 현재 표시된 전압 관련 사양은 200V입니다.
JAN2N6766에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
JAN2N6766은(는) 무엇인가요?
JAN2N6766의 장착 방식은 무엇인가요?
JAN2N6766은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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