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JAN2N6764
278-JAN2N6764
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, TO-3, 2 PIN
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-204AE
Continuous Drain Current (ID)
38A
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
150W
Mount
Through Hole
FAQ
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