MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT
Micron Technology_MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT
original

Micron Technology
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

774-MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT
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IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

제조업체
Micron Technology Inc.
시리즈
-
Packaging
Bulk
Part Status
Obsolete
메모리 유형
Non-Volatile, Volatile
메모리 포맷
FLASH, RAM
기술
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기
4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDRAM)
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FAQ

What is the density and organization of the MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT?
This is a multi-chip package (MCP) memory device that integrates a 4Gb SLC NAND Flash die and a 4Gb LPDDR2 SDRAM die in a single package. The NAND portion is typically organized as 512M x 8 bits, while the LPDDR2 DRAM is organized as 128 Meg x 32 bits. Together they provide 512 MB of non‑volatile storage and 512 MB of volatile RAM.
What speed and performance does the “-5” grade indicate?
What operating temperature range does the “WT” suffix specify?
How is the device packaged and what does the full marking “-5 WT” mean?
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