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Microchip Technology
MSCSM120XM50CTYZBNMG
289-MSCSM120XM50CTYZBNMG
PDF 데이터시트
PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET 기능
Silicon Carbide (SiC)
구성
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1990pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
137nC @ 20V, 232nC @ 20V
장착 유형
Chassis Mount
제품상태
Active
Rds On(최대) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
FAQ
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